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结晶速度是否影响硅锭少子寿命
2017-05-31 14:55:26   来源:   评论:0 点击:

提问: 用的是精工500E炉子,装500公斤,前一阶段耗时75+小时,后来改工艺,耗时65+小时,前一阶段产品还好,后面红外探伤发现硅锭内部有很多的杂质,少子寿命不到2US,请教如何解决?是否需要改工艺?前后使用
提问:
 用的是精工500E炉子,装500公斤,前一阶段耗时75+小时,后来改工艺,耗时65+小时,前一阶段产品还好,后面红外探伤发现硅锭内部有很多的杂质,少子寿命不到2US,请教如何解决?是否需要改工艺?前后使用的是一批料!

结晶速度过快,内部的杂质元素平衡分凝系数会变大~所以在固体中残留的就会变多。但是你图片上的阴影看起来不像是杂质富集引起的。底部和中间的阴影个人觉得都是应力得不到释放,引起的隐裂~增加结晶时间或者退火时间,可能解决这样的问题。对于多晶提速,我一直不太赞成。从晶体生长角度来讲,结晶时间越长,结晶过程中的杂质分凝效果越明显。而且,结晶时间越长,也越有利于晶体的稳定生长。

 这种阴影不是杂质,可以切片,但是可以看出,你调整后的生长速率已经造成生长时的梯度太大了,希望再稍作调整就可以了。

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