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少子寿命测量仪BLS-测试硅棒
2017-03-24 11:06:09   来源: 瞬渺市场部   评论:0 点击:

少子寿命测量仪BLS-测试硅棒少子寿命测量仪BLS-I 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块 体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污

少子寿命测量仪BLS-测试硅棒

少子寿命测量仪BLS-I 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块 体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。

  • 商品编号:BLS-I
  • 商品重量:10000.000 克(g)
  • 货  号:BLS-I
  • 品  牌:Sinton Instrument
  • 计量单位:台
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商品详情
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1、用途(高频光电导)

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块

体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体

内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。

2、设备组成

2.1、光脉冲发生装置

重复频率>25次/s 脉宽>60μs 光脉冲关断时间<0.2-1μs

红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶) 脉冲电流:5A~20A

如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源

2.2、高频源

频率:30MHz 低输出阻抗 输出功率>1W

2.3、放大器和检波器

频率响应:2Hz~2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器:频带宽度不低于10MHz,Y轴增益及扫描速度均应连续可调。

3、测量范围

可测硅单晶的电阻率范围:ρ≥0.1Ω·㎝(欧姆·厘米),寿命值的测量范围:5~6000μs 


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